1.从微观的角度来看,影响分子的熔点和沸点大小的因素是分子间作用力,也就是范德华力,它包括取向力、诱导力和色散力.对大部分分子而言色散力占主导地位,也就是色散力》取向力>诱导力.而分子的变形性越大,色散力越强,而影响分子变行性的因素是分子的极化率,这个值可以用实验测得,实验值表明分子量的增大及电子云的弥散,分子极化率α值增大.所以我们得到一个一般的结论,对于分子结构相似的物质,相对分子质量大的物质相应的熔点、沸点更高.所以SiCl4>CCl4>SiF4.
2.配合物是由内界和外界组成的,题中离子是个内界,在Zn(NH3)4]2+络合离子中,中心离子是Zn2+,配体是NH3,配离子形成的原因大概就是形成的配离子稳定常数Kf大.Zn最外层是3d^104s^2,Zn2+是d^10型,它与强场配体形成配合物时,根据洪特规则,10个电子占满恰好3d轨道,所以它只能动用最外层的4s、4p空轨道进行sp3杂化,这样就为NH3的孤对电子提供了4个空轨道.络合离子会显正二价是因为NH3是电中性配体,所以只体现锌离子的化合价.
GDDR4属于双倍数据率内存，通过使用Cutting-edge技术的Data Bus Inversion及Multi-Preamble技术，使其在理论上相对GDDR3的运行效率提升了56%，使用GDDR4显存能达到更高的工作频率和更强的实际性能。
但是DDR4的延迟是要大于DDR3的，无论DDR3,DDR4,只要频率高的性能就高。
所谓延迟是高频率DDR必定有的东西，比如说，DDR1延迟最低，比DDR3,DDR4都低，但是你用DDR1么?
延迟对显卡性能的影响基本可以忽略了。同频率显卡自然是延迟低的好，不同频率的就是高频的好。
不过DDR4恐怕不会普及了，因为马上我们就要进入DDR5时代。
对称偶原子的分子是非的。C-C的是对称的，是非极性的，即极性为0。不对称的双原子分子都是极性的。另外三原子的分子，是要看分子结构的，如CO2是直线型的，所以是非极性的，H2O是V字型的，所以是极性的。
这两种分子都是非极性分子，谈不上谁的极性大小。从单个共价键来看硅氯键极性比碳氯键大，硅比碳非金属性小即金属性比碳大，更易失去电子，共价键电子偏向性更高。从化学性质来看四氯化硅不稳定易水解，而四氯化碳且很稳定。